وجد باحثون في جامعة لينشوبينغ، طريقة لتحسين تصنيع الذاكرة الرقمية بإضافة غاز الزينون النبيل، حيث تظهر الدراسة، التي نُشرت في مجلة «نيتشر كومونيكيشينز»، أن هذه التقنية تساعد في إنشاء طبقة أكثر توازناً داخل التجاويف الصغيرة، مما يجعل إنتاج الذاكرة أكثر فاعلية.
وعلى مدى 25 عاماً، تطورت الذاكرة الرقمية بشكل كبير، حيث أصبحت بطاقات الذاكرة قادرة على تخزين بيانات أكثر بـ60.000 مرة من السابق بفضل تكديس طبقات رقيقة من المواد الموصلة والعازلة، وحفر ثقوب صغيرة تُملأ بمادة موصلة لتكوين خلايا الذاكرة.
لكن التحدي يكمن في ضمان توزيع المادة بالتساوي داخل الثقوب، إذ قد يؤدي تراكمها عند الفتحة إلى انسدادها ومنع ملئها بالكامل، ولحل هذه المشكلة، استخدم الباحثون غاز الزينون أثناء عملية الطلاء، مما ساعد على تحقيق توزيع متساوٍ للمادة دون الحاجة إلى خفض درجة الحرارة، وهو ما أدى إلى تحسين جودة المواد المستخدمة في تصنيع الذاكرة.